Основной контент книги Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design
Текст PDF
Объем 648 страниц
Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design
автор
Vinod Khanna Kumar
19 918,33 ₽
Начислим +598
Покупайте книги и получайте бонусы в Литрес, Читай-городе и Буквоеде.
Участвовать в бонусной программеО книге
A comprehensive and «state-of-the-art» coverage of the design and fabrication of IGBT. All-in-one resource Explains the fundamentals of MOS and bipolar physics. Covers IGBT operation, device and process design, power modules, and new IGBT structures.
Жанры и теги
Войдите, чтобы оценить книгу и оставить отзыв
Книга «Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design» — читать онлайн на сайте. Оставляйте комментарии и отзывы, голосуйте за понравившиеся.
Возрастное ограничение:
0+Дата выхода на Литрес:
20 августа 2019Объем:
648 стр. ISBN:
9780471660996Общий размер:
33 МБОбщее кол-во страниц:
648Правообладатель:
John Wiley & Sons Limited