Nitruro de indio-aluminio (InAlN): las celdas solares del futuro

La aleación ternaria semiconductora de nitruro de indio y aluminio (InxAl1-xN) despierta cada vez mayor interés en la industria, debido a sus potenciales aplicaciones en dispositivos optoelectrónicos y fotovoltaicos. Debido a esto, en la última década han aumentado las investigaciones de este interesante material, especialmente para su empleo en futuras aplicaciones en celdas solares. En este libro presentamos las propiedades químicas, físicas, estructurales, morfológicas, ópticas y eléctricas de este semiconductor. El principal aporte es usar diversas estrategias para obtenerlo a un costo menor respecto a los métodos epitaxiales usados en celdas solares multiunión con eficiencia récord mundial. Para esto se obtuvo el material tanto por magnetrón sputtering Radio Frequency como por sputtering Direct Current; mediante el uso de un único blanco de InAl y a temperatura ambiente. Asimismo, se sintetizaron películas amorfas, policristalinas y altamente cristalinas, lo cual permite alto grado de versatilidad en la metodología propuesta.