Читайте только на Литрес

Книгу нельзя скачать файлом, но можно читать в нашем приложении или онлайн на сайте.

Основной контент книги Fundamentals of Silicon Carbide Technology
Текст PDF

Объем 555 страниц

0+

Fundamentals of Silicon Carbide Technology

Growth, Characterization, Devices and Applications
Читайте только на Литрес

Книгу нельзя скачать файлом, но можно читать в нашем приложении или онлайн на сайте.

13 483,38 ₽

Начислим

+405

Покупайте книги и получайте бонусы в Литрес, Читай-городе и Буквоеде.

Участвовать в бонусной программе
Подарите скидку 10%
Посоветуйте эту книгу и получите 1 348,34 ₽ с покупки её другом.

О книге

A comprehensive introduction and up-to-date reference to SiC power semiconductor devices covering topics from material properties to applications Based on a number of breakthroughs in SiC material science and fabrication technology in the 1980s and 1990s, the first SiC Schottky barrier diodes (SBDs) were released as commercial products in 2001. The SiC SBD market has grown significantly since that time, and SBDs are now used in a variety of power systems, particularly switch-mode power supplies and motor controls. SiC power MOSFETs entered commercial production in 2011, providing rugged, high-efficiency switches for high-frequency power systems. In this wide-ranging book, the authors draw on their considerable experience to present both an introduction to SiC materials, devices, and applications and an in-depth reference for scientists and engineers working in this fast-moving field. Fundamentals of Silicon Carbide Technology covers basic properties of SiC materials, processing technology, theory and analysis of practical devices, and an overview of the most important systems applications. Specifically included are:

A complete discussion of SiC material properties, bulk crystal growth, epitaxial growth, device fabrication technology, and characterization techniques. Device physics and operating equations for Schottky diodes, pin diodes, JBS/MPS diodes, JFETs, MOSFETs, BJTs, IGBTs, and thyristors. A survey of power electronics applications, including switch-mode power supplies, motor drives, power converters for electric vehicles, and converters for renewable energy sources. Coverage of special applications, including microwave devices, high-temperature electronics, and rugged sensors. Fully illustrated throughout, the text is written by recognized experts with over 45 years of combined experience in SiC research and development. This book is intended for graduate students and researchers in crystal growth, material science, and semiconductor device technology. The book is also useful for design engineers, application engineers, and product managers in areas such as power supplies, converter and inverter design, electric vehicle technology, high-temperature electronics, sensors, and smart grid technology.

Жанры и теги

Войдите, чтобы оценить книгу и оставить отзыв
Книга James A. Cooper, Tsunenobu Kimoto «Fundamentals of Silicon Carbide Technology» — читать онлайн на сайте. Оставляйте комментарии и отзывы, голосуйте за понравившиеся.
Возрастное ограничение:
0+
Дата выхода на Литрес:
06 июля 2018
Объем:
555 стр.
ISBN:
9781118313541
Общий размер:
42 МБ
Общее кол-во страниц:
555
Издатель:
Правообладатель:
John Wiley & Sons Limited
18+
Текст
Средний рейтинг 4,7 на основе 172 оценок
Аудио
Средний рейтинг 5 на основе 21 оценок
Черновик, доступен аудиоформат
Средний рейтинг 4,6 на основе 57 оценок
Черновик
Средний рейтинг 4,5 на основе 26 оценок
Аудио
Средний рейтинг 4,1 на основе 1019 оценок
Черновик
Средний рейтинг 4,9 на основе 219 оценок
Текст
Средний рейтинг 4,5 на основе 17 оценок
Текст, доступен аудиоформат
Средний рейтинг 4,7 на основе 1007 оценок
Текст, доступен аудиоформат
Средний рейтинг 4,5 на основе 21 оценок
Черновик
Средний рейтинг 4,3 на основе 56 оценок
Текст PDF
Средний рейтинг 0 на основе 0 оценок